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無(wú)刷電機(jī)控制器MOS管是什么？MOSFET晶體管工作原理
來(lái)源：深圳市鑫海文科技有限公司|發(fā)布時(shí)間：2019-03-29 19:51
MOS管是無(wú)刷電機(jī)控制器中最常見(jiàn)到的晶體管，其全稱(chēng)為MOSFET晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。今天就和大家介紹一下無(wú)刷電機(jī)控制器中的mos管是什么？
無(wú)刷電機(jī)控制器中的MOS管是什么？
MOS管全稱(chēng)MOSFET晶體管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛用于切換和放大電子器件中的電子信號(hào)。MOSFET晶體管是集成電路的核心，由于尺寸非常小，因此可以在單個(gè)芯片中進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造。MOSFET晶體管是具有源極（S），柵極（G），漏極（D）和主體（B）端子的四端子器件。MOSFET晶體管的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為像場(chǎng)效應(yīng)晶體管那樣的三端器件。MOSFET晶體管是最常見(jiàn)的晶體管，可用于模擬和數(shù)字電路。
MOSFET晶體管通過(guò)電子方式改變電荷載流子沿其流動(dòng)的通道寬度（電子或空穴）。電荷載流子在源極進(jìn)入通道并通過(guò)漏極離開(kāi)。通道的寬度由電極上的電壓控制，稱(chēng)為柵極，位于源極和漏極之間。它與極薄的金屬氧化物層附近的通道絕緣。器件中的MOS容量是主要部分。
MOS管工作模式：
耗盡模式
當(dāng)柵極上沒(méi)有電壓時(shí)，通道顯示其最大電導(dǎo)。由于柵極上的電壓為正或負(fù)，溝道電導(dǎo)率降低。
例如
增強(qiáng)模式：
當(dāng)柵極上沒(méi)有電壓時(shí)，器件不導(dǎo)通。柵極上的電壓越多，器件的導(dǎo)通性越好。
MOSFET晶體管的工作原理：
MOSFET晶體管的目標(biāo)是能夠控制源極和漏極之間的電壓和電流。它幾乎可以作為一個(gè)開(kāi)關(guān)。MOSFET晶體管的工作取決于MOS電容器。MOS電容是MOSFET晶體管的主要部分。位于下方氧化層的半導(dǎo)體表面位于源極和漏極端子之間。通過(guò)分別施加正或負(fù)柵極電壓，它可以從p型反轉(zhuǎn)為n型。當(dāng)我們施加正柵極電壓時(shí)，存在于氧化物層下方的具有排斥力的孔和孔被向下推動(dòng)。耗盡區(qū)域由與受體原子相關(guān)的束縛負(fù)電荷組成。形成電子到達(dá)通道。正電壓還吸引電子從n +源極和漏極區(qū)域進(jìn)入溝道。現(xiàn)在，如果在漏極和源極之間施加電壓，則電流在源極和漏極之間自由流動(dòng)，柵極電壓控制溝道中的電子。如果我們施加負(fù)電壓，則代替正電壓，將在氧化物層下方形成空穴溝道。
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